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20110.0068mm2自校准电路在锁相环中的应用郑佳鹏; 李伟; 杨翼; 马俊程; 程玉华; 王阳元
20000.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制张兴; 王阳元
19911微米自对准CoSi_2 SALICIDE MOS技术研究徐立; 武国英; 张国炳; 王阳元
19961.5μm全耗尽CMOS/SIMOX门阵列的研制张兴; 魏丽琼; 王阳元
199921世纪及1999年微电子技术展望王阳元; 张兴
200021世纪的硅微电子学王阳元
20013-6nm超薄SiO2栅介质的特性高文钰; 张兴; 田大宇; 张大成; 王阳元
20073.1-10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计宋睿丰; 廖怀林; 黄如; 王阳元
200832nm CMOS工艺技术挑战吴汉明; 王国华; 黄如; 王阳元
19973GHz硅双极型微波静态分频器的设计奠邦燹; 张利春; 倪学文; 宁宝俊; 王阳元
1998凹陷沟道SOI器件的实验研究张兴; 王阳元
2004北京大学国家集成电路人才培养基地建设思路张兴; 黄如; 张天义; 王阳元
1995薄膜全耗尽CMOS/SOI──下一代超高速Si IC主流工艺张兴; 王阳元
1996薄膜SOIMOSFET浮体效应的抑制优化研究奚雪梅; 王阳元
1995薄膜全耗尽SIMOX/SOIMOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究程玉华; 魏丽琼; 孙玉秀; 阎桂珍; 李映雪; 武国英; 王阳元
1995薄膜全耗尽SOI MOSFET单晶体管Latch效应魏丽琼; 程玉华; 孙玉秀; 阎桂珍; 李映雪; 武国英; 王阳元
1993薄栅SiO_2相关击穿电荷的研究许铭真; 谭长华; 王阳元
1993薄膜全耗尽SOI短沟道MOSFET准二维电流模型程玉华; 王阳元
1997薄膜深亚微米SOI MOSFET的瞬态数值模拟张兴; 王阳元
1991薄栅SiO_2早期电导机制的研究张晖; 许铭真; 谭长华; 王阳元