Title0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制
Other TitlesDesign and Fabrication of 0. 15μm Thin Film Fully Depleted MOS/SOI Device
Authors张兴
王阳元
Affiliation北京大学微电子学研究所北京 100871
KeywordsMOS/SOI器件
薄膜
设计
Issue Date2000
Publisher半导体学报
Citation半导体学报.2000,21,(2),156-160.
Abstract利用自己开发的二维数值深亚微米SOI器件模拟软件,较为详细地分析了沟道长度小于o.2μm的 SOI器件的阈值电压特性、穿通和击穿特性、亚阈值特性以及直流稳态特性等.通过这些模拟和分析计算,给出了沟道长度为0.18、0.15和0.1μm的薄膜全耗尽 SOI/MOS器件的设计方案,并根据该设计方案成功地研制出了性能良好的沟道长度为0.15μm的凹陷沟道 SOI器件.沟道长度为0.15μm薄膜全耗尽凹陷沟道SOI器件的亚阈值斜率为87mV/dec,击穿电压为1.6V,阈值电压为0.42V,电源电压为1.5V时的驱动电流为1.85mA,泄漏电流为0.5pA/μm沟道宽度.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/24385
ISSN0253-4177
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