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19931.48μm LPE SQW-SCH InGaAsP/InP脊波导激光器结构和模式控制章蓓; 马勇
1981AlGaAs外延层的折射率测量刘弘度; 王德煌; 章蓓; 杜宝勋; 段树坤; 石忠诚
2003半导体照明光源研究进展张国义; 陈志忠; 杨志坚; 秦志新; 胡晓东; 章蓓; 于彤军; 童玉珍; 丁晓民
1989半磁半导体Hg_(1-x)Mn_xTe中横向磁阻的反常行为(英文)刘继周; 陈辰嘉; 章蓓
1996半导体光学微腔──研究腔量子电动力学效应的绝妙范例章蓓
2001半导体发光二极管及其制备方法章蓓; 张国义; 俞大鹏; 栾峰; 王大军
2006垂直电极结构GaN基发光二极管的研制康香宁; 包魁; 陈志忠; 徐科; 章蓓; 于彤军; 聂瑞娟; 张国义
2007垂直电极结构GaN基发光二极管的研制康香宁; 包魁; 陈志忠; 徐科; 章蓓; 于彤军; 聂瑞娟; 张国义
2004大功率白光LED的制备和表征陈志忠; 秦志新; 胡晓东; 于彤军; 杨志坚; 章蓓; 姚光庆; 邱秀敏; 张国义
2003大功率白光LED的制备和表征陈志忠; 秦志新; 胡晓东; 于彤军; 杨志坚; 章蓓; 张国义; 邱秀敏
2002带有周期性微结构的InGaAlP量子阱发光二极管王大军; 章蓓; 栾峰; 杨涛; 徐万劲; 马骁宇
1998氮化物半导体GaN的光辅助湿法腐蚀章蓓; 黄其煜; 周大勇; 戴伦; 张国义
2001氮化物半导体发光材料的新进展张国义; 章蓓
2006氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化魏启元; 胡晓东; 李倜; 王彦杰; 陈伟华; 李睿; 潘尧波; 徐科; 章蓓; 杨志坚
2003氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法杨志坚; 张国义; 李忠辉; 余彤军; 胡晓东; 陈志忠; 秦志新; 章蓓
2004对GaN薄膜不同腐蚀方法的腐蚀坑的研究陆敏; 常昕; 方慧智; 杨志坚; 杨华; 黎子兰; 任谦; 张国义; 章蓓
2004多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响陆敏; 方慧智; 黎子兰; 陆曙; 杨华; 章蓓; 张国义
1995铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究万亚; 李岱青; 章蓓; 陈孔军; 徐天冰; 朱沛然
1993Er离子在InP、GaAs和Si中的1.54μm特征发光峰章蓓; 陈孔军; 王舒民; 虞丽生; 郑婉华; 徐俊英; 徐天冰; 朱沛然; 盖秀贞
2004腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性陆敏; 方慧智; 陆曙; 黎子兰; 杨华; 章蓓; 张国义
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