Title超薄HfO2高K栅介质薄膜的软击穿特性
Other TitlesSoft Breakdown Characteristics of Ultra-thin High-K HfO2 Gate Dielectrics
Authors韩德栋
康晋锋
杨红
韩汝琦
Affiliation北京大学微电子所,北京,100871
Keywords高介电常数栅介质
二氧化铪薄膜
软击穿
Issue Date2005
Publisher固体电子学研究与进展
Citation固体电子学研究与进展.2005,25,(2),157-159.
Abstract研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.当栅氧化层很薄时会发生软击穿现象,软击穿和通常的硬击穿是不同的现象.分别利用在栅介质上加恒流应力和恒压应力两种方法研究了HfO2薄膜的击穿特性,实验结果表明,在两种应力方式下HfO2栅介质均发生了软击穿现象,软击穿和硬击穿的机理不同.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/177430
ISSN1000-3819
DOI10.3969/j.issn.1000-3819.2005.02.004
Indexed中文核心期刊要目总览(PKU)
中国科学引文数据库(CSCD)
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