Title单极阻变存储器及其制造方法
Authors康晋锋
张飞飞
陈沅沙
陈冰
高滨
刘力锋
刘晓彦
韩汝琦
Affiliation北京大学
Issue Date2011
Citation北京.
Abstract一种单极阻变存储器及其制造方法。所述单极阻变存储器包括衬底;位于所述衬底上并由导电材料形成的底电极;由储氧能力弱的导电材料形成的顶电极;位于所述底电极和所述顶电极之间的阻变层,其由绝缘性能好且易于形成导电通道的氧化物形成;在所述阻变层与所述顶电极之间还具有储氧层,其由具有导电性且易于热分解释放出氧离子的氧化物形成。本发明的单极阻变存储器提高了器件性能的一致性和耐久性。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/193226
Appears in Collections:专利

Files in This Work
Adobe PDF

Web of Science®



Checked on Last Week

百度学术™



Checked on Current Time




License: See PKU IR operational policies.