利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法

Abstract

本发明属于纳电子学及纳电子器件领域，具体为利用调制的复合一维纳米材料构建单电子器件并提高其工作温度到室温或更高的思想和方法。通过在生长过程中控制地在一维纳米结构(纳米管)中引入势垒(可以用金属颗粒、成分改变、金属和绝缘体或非晶和晶体的转变、定位的电子或离子注入)，可以改变纳米管的电学性质。用这种复合纳米材料制备出单电子器件。通过调节势垒的间距，可以控制由此制备的单电子器件的工作温度达到室温或更高温。本发明用于纳电子学研究及单电子器件制备。