Title非晶硅薄膜的应用前景
Authors奚中和
杨大同
Affiliation北京大学无线电电子学系
Keywords非晶硅薄膜
能量转换效率
器件参数
摄象管
图象信息
场致发光
场效应管
平面显示
主要研究课题
光谱响应
Issue Date1984
Publisher电子科学学刊
Citation电子科学学刊.1984,(02),156-165.
Abstract本文评述并探讨了α-Si:H薄膜在电子学领域的种种应用。α-Si:H太阳电池是非晶硅薄膜的最重要的器件,目前的主要研究课题仍是改进材料性质和器件参数,以提高电池的能量转换效率。利用α-Si:H灵敏的光敏效应记录图象信息,可能有广阔的应用前景(如用于摄象管和静电复印等)。以α-Si:H场效应管为基础的集成电路,易于实现大面积和结构的立体化,因此有很大吸引力。α-Si:H FET驱动的液晶大面积显示和材料本身的场致发光在大面积平面显示中直接应用的可能性亦引人注目。以整流、检测等为目的的其它α-Si:H二极管也都具有相当的价值。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/22397
ISSN1009-5896
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