Title光弹效应在光电子器件中的应用
Other TitlesAPPLICATION OF PHOTOELASTIC EFFECT IN OPTOELECTRONIC DEVICES
Authors邢启江
徐万劲
高文胜
袁志军
孙锴
王爱民
Affiliation北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
KeywordsWNi/半导体接触 光弹效应 光弹波导结构 平面型光弹光电子器件
Issue Date2002
Publisher红外与毫米波学报
Citation红外与毫米波学报.2002,21,(z1),1-6.
Abstract在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2~2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/228641
ISSN1001-9014
DOI10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.001
Indexed中文核心期刊要目总览(PKU)
中国科学引文数据库(CSCD)
Appears in Collections:物理学院
人工微结构和介观物理国家重点实验室

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