Title硅多条探测器的研制和初步应用
Other TitlesDevelopment of Si Multi-Strip Detector
Authors谭继廉
靳根明
王宏伟
段利敏
袁小华
王小兵
李松林
卢子伟
徐瑚珊
宁宝俊
田大宇
王玮
张录
Affiliation中国科学院近代物理研究所,兰州,730000
北京大学微电子研究所,北京,100871
Keywords硅多条探测器
微电子工艺
电特性
探测特性
漏电流
能量分辨率
Issue Date2005
Publisher高能物理与核物理
Citation高能物理与核物理.2005,29,(4),383-386.
Abstract描述了用微电子工艺技术成功研制硅多条探测器的制备工艺技术及测试结果. 这种探测器的灵敏面积为50mm×20mm. P掺杂面被等分成相互平行的,长度为20mm,宽度为3mm的16条,相邻条之间的间距为140μm. 当探测器工作在全耗尽偏压下,每一条的反向漏电流的典型值<2nA. 对239Pu α粒子的能量分辨为0.5%-0.9%,相邻条之间的相互影响(crosstalk)为4%-8%. 用于7.2MeV/u的C束离子测量,得到能量分辨为0.27%.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/229441
ISSN0254-3052
DOI10.3321/j.issn:0254-3052.2005.04.010
IndexedSCI(E)
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