| Title | 新型光电材料GaN的离子束辐照改性与结构分析 |
| Other Titles | Analysis and Modification of New Photoelectricity Material GaN by Ion Beam |
| Authors | 姚淑德 孟兆祥 俞芃 张勇 周生强 卢一泓 张国义 童玉珍 |
| Affiliation | 北京大学技术物理系 北京大学重离子物理研究所 北京大学技术物理系 北京大学物理学系,北京,100871 |
| Keywords | 电阻率 载流子浓度 霍尔效应 |
| Issue Date | 2000 |
| Publisher | 原子能科学技术 |
| Citation | 原子能科学技术.2000,34,(Z1),41-44. |
| Abstract | 研究用卢瑟福背散射/沟道技术测量分析GaN的结构及结晶品质,给出了注入H+离子束改变GaN的电学特性的实验结果. |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/230645 |
| ISSN | 1000-6931 |
| DOI | 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.z1.012 |
| Indexed | 中文核心期刊要目总览(PKU) 中国科学引文数据库(CSCD) |
| Appears in Collections: | 物理学院 |
