Title超细氧化硅纳米线阵列的制备和发光特性
Other TitlesSynthesis and Photoluminescence of Super Thin and Highly Oriented Silica Nanowires
Authors朱彦武
陈喜红
陈耀锋
徐军
张洪洲
冯孙齐
俞大鹏
张国义
Affiliation北京大学物理学院,介观物理国家重点实验室,电子显微镜实验室,北京100871
北京大学物,理学院,宽禁带半导体研究中心,北京,100871
Keywords非晶SiO2 纳米线阵列 光致荧光
Issue Date2004
Publisher发光学报
Citation发光学报.2004,25,(2),173-177.
Abstract以液态金属Ga作为催化剂合成了大量的非晶SiO2纳米线阵列.这些纳米线具有高度取向性,直径分布均匀,平均约8 nm,长度大于300μm.研究发现,载气的湿度对非晶SiO2纳米线阵列的生长有重大影响,提出了一种可能的生长模型,以解释这一与传统的VLS机制不同的生长过程.对样品的光致荧光(PL)谱的测量表明,非晶SiO2纳米线阵列在蓝光波段附近存在两个很强且稳定的发射峰,它们直接与样品中的缺陷和空位有关.首次发现了一个稳定的PL峰,存在于红外波段,作为光源,非晶SiO2纳米线阵列可能会在纳米光电子器件中得到应用.由于SiO2是传统的光纤材料,单根SiO2纳米线也有希望应用于近场光学扫描显微镜(SNOM)之中.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/236136
ISSN1000-7032
DOI10.3321/j.issn:1000-7032.2004.02.014
Indexed中文核心期刊要目总览(PKU)
中国科学引文数据库(CSCD)
Appears in Collections:物理学院
人工微结构和介观物理国家重点实验室

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