Title用沟道产额角分布技术研究硅中超固溶度激活杂质的失活机理
Authors徐立
钱佩信
李志坚
Affiliation北京大学微电子学研究所
清华大学微电子学研究所
清华大学微电子学研究所 北京100871
北京 100084
Keywords角分布
产额
固溶度
杂质相
载流子浓度
亚稳态
杂质原子
阳极氧化技术
快速热退火
弛豫
Issue Date1993
Publisher半导体学报
Citation半导体学报.1993,(08),468-473.
Abstract用快速热退火技术可以获得很高的、超过杂质在硅中固溶度的亚稳态载流子浓度。但是,超固溶度杂质的失活会引起亚稳态载流子浓度的弛豫。本文应用RBS沟道产额角分布技术分析了失活杂质原子在硅晶格中的定位情况,进而从这些晶格定位的实验结果出发,讨论了硅中超固溶度激活杂质的失活机理。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/23634
ISSN0253-4177
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