Title快速热退火硅中微缺陷分析
Authors徐立
钱佩信
李志坚
Affiliation北京大学微电子学研究所
清华大学微电子学研究所
清华大学微电子学研究所 北京 100871
北京 100084
Keywords快速热退火
二次缺陷
微缺陷
综合研究
退火温度
激活能
退火时间
硅单晶
透射电子显微镜
晶向
Issue Date1993
Publisher半导体学报
Citation半导体学报.1993,(08),513-516+526.
Abstract本文通过高剂量注砷硅的一系列快速热退火实验,分析了注入晶格损伤恢复情况和二次缺陷生长过程。在实验结果的基础上综合研究了快速热退火硅中的微缺陷过程。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/23635
ISSN0253-4177
Indexed中文核心期刊要目总览(PKU)
中国科学引文数据库(CSCD)
Appears in Collections:信息科学技术学院

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