| Title | 用离子束技术研究稀磁半导体和纳米磁性材料 |
| Authors | 姚淑德 丁志博 王坤 陈迪 法涛 陈田祥 |
| Affiliation | 北京大学核物理与核技术国家重点实验室 北京 100871 |
| Keywords | 自旋半导体 纳米磁性材料 离子束注入 光电材料 过饱和剂量 |
| Issue Date | 2009 |
| Citation | 第二届全国核技术及应用研究学术研讨会论文集中国物理学会;中国核学会.. |
| Abstract | 本文系统综述了用离子束技术实现稀磁半导体和纳米磁性材料的构建、调控和改性的研究的进展和现状。离子束注入是优选的构建和调控方法，测试结果表明在GaN、 ZnO等新半导体光电材料中注入Mn、Ni、Co等过渡金属离子可以得到低温和室温下的铁磁性。离子束分析技术给出了这些新材料薄膜的微结构信息，透射电镜下观察到过饱和剂量Mn+注入GaN形成的纳米磁性颗粒。 |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/239014 |
| Appears in Collections: | 物理学院 核物理与核技术国家重点实验室 |
