| Title | GaN的离子辐照效应 |
| Authors | 周生强 姚淑德 焦升贤 孙长春 孙昌 |
| Affiliation | 北京大学,技术物理系 北京大学,技术物理系 北京大学,重离子物理研究所 |
| Keywords | GaN 电阻率 离子注入 辐照损伤 Hall法 |
| Issue Date | 2001 |
| Citation | 2001年超精细相互作用与核固体物理研讨会中国高等科学技术中心.. |
| Abstract | 本文首先采用背散射/沟道(RBS/channeling)技术分析了GaN的结构参数、结晶品质,然后注入He2+,N+离子,研究注入产生的电阻变化和晶格损伤.在不同的温度下,氮气保护退火30分钟,用Hall法测量电阻率,发现GaN的电阻率增大6-8个数量级.在200-400℃左右退火,电阻率变化最大. |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/246281 |
| Appears in Collections: | 物理学院 |
