Title80um厚膜自支撑同质外延LED生长及特性研究
Authors李俊泽
陶岳彬
陈志忠
姜显哲
付星星
于彤军
康香宁
张国义
Affiliation人工微结构和介观物理国家重点实验室
北京大学物理学院
Keywords同质外延
LED
um
厚膜
支撑结构
开启电压
晶体质量
摇摆曲线
MOCVD
缺陷密度
Issue Date2012
Citation第十二届全国MOCVD学术会议..
Abstract为解决异质外延造成的高缺陷密度及应力引起极化效应等负面影响,本文利用MOCVD、HVPE结合LLO等技术实现80um厚膜自支撑结构同质外延。高分辨X射线衍射(HR-XRD)(0002)方向上的摇摆曲线分析,得知厚膜自支撑结构宽度为173 arcsec,明显低于传统结构的258 arcsec。同时结合透射电子显微镜(TEM)图像表明厚膜自支撑结构使得量子阱具有更好的晶体质量和较低的应力残余。厚膜自支撑结构LED具有更小的开启电压且在350mA电流下高出一倍的出光,其良好的光电性能得益于较高的
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/256934
Appears in Collections:物理学院

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