Title半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性
Authors李杨
冯列峰
李丁
王存达
邢琼勇
张国义
Affiliation天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室
海南工商职业学院
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心人工微结构与介观物理国家重点实验室
Keywords发光二极管(LED)
负电容
电导
p-n结
Issue Date2013
Publisher光电子激光
Citation光电子.激光.2013,(04),663-668.
Abstract对传统的电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(LED)正向特性的结果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正向电学特性的理论研究提供实验基础。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/264362
ISSN1005-0086
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