TitleAIN插入层对GaN上生长的AlzGa1-zN外延层表面形貌和微结构的影响
Authors鲁麟
俞大鹏
沈波
许福军
黄森
秦志新
杨志坚
张国义
张小平
徐军
Affiliation北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
北京大学电子显微镜实验室,北京 100871
Keywords透射电子显微镜 表面形貌 微结构 外延层 位错密度 应力调制
Issue Date2008
Citation第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集中国电子学会;广州市科协..
Abstract利用AFM和TEM观测对GaN上利用低温AIN插入层生长的Al2Ga1-xN外延层进行了研究。发现AIN插入层能够有效抑制AlxGa1-xN外延层中的刃型位错。当AlN厚度为20 nm时,刃型位错密度为8.7×108cm-2。我们认为AlxGa1-xN外延层中刃型位错密度的变化主要取决于两种机制:一是AlN插入层对忙错的抑制作用,AIN的插入,为位错的终止提供了一个界面;二是AIN插入层对位错的产生作用。由于AIN与AlxGa1-xN也存在品格失配从而会在AlxGa1-xN外延层中引入新的位错。此外,AlN插入层对AlxGa1-xN外延层的应力调制也会影响刃型位错的形成。 实验确认GaN上生长AlxGa1-xN外延层时,20nm,是低温AlN插入层的最佳厚度。
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/274005
Appears in Collections:物理学院
人工微结构和介观物理国家重点实验室

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