Title硅衬底上高质量氮化铝的GSMBE生长及表征
Authors罗木昌
孙殿照
曾一平
林兰英
王晓亮
刘宏新
王雷
李晋闽
孙国胜
张小平
潘华勇
胡国新
Affiliation中国科学院半导体研究所材料中心,北京912信箱,100083
北京大学物理系电镜中心,北京,100871
Keywords分子束外延
氮化铝
硅衬底
XRD
X射线双晶衍射
Issue Date2002
Citation中国电子学会第八届青年学术年会暨中国电子学会青年工作委员会成立十周年学术研讨会.合肥,2002/8/13.
Abstract用NH3作气源的MBE法在Si(111)和Si(100)衬底上外延生长了高质量的AIN单晶薄膜.在生长开始前,先沉积A1以覆盖Si衬底表面防止Si的氮化.用XRD,DCXRD(X射线双晶衍射)、原位RHEED(反射式高能电子衍射)、AFM(原子力显微镜)等分析手段对外延层进行了结晶性和表面形貌的表征,证实了A1N外延层具有较高的质量.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/285937
Appears in Collections:物理学院

Web of Science®



Checked on Last Week

百度学术™



Checked on Current Time




License: See PKU IR operational policies.