| Title | 用深能级瞬态电容谱测定掺磷α-Si:H的隙态密度 |
| Authors | 杜永昌 张玉峰 杨大同 张光华 韩汝琦 |
| Affiliation | 北京大学物理系 北京大学无线电系 北京大学计算机系 |
| Keywords | 非晶硅 Si:H 深能级杂质 态密度 场效应 界面态 能带弯曲 电容值 瞬态 实验数据处理 |
| Issue Date | 1984 |
| Publisher | 电子科学学刊 |
| Citation | 电子科学学刊.1984,(05),417-421. |
| Abstract | 非晶硅的隙态密度在很大程度上决定了材料的电学和光学性质,因而对非晶硅隙态密度的研究具有重要的理论和实际意义。目前,对非晶硅隙态密度分布的认识,仍存在着争议。W.E.Spear.等人首先用场效应方法测定了非晶硅的隙态密度分布,并在相当一段时间为人们所接受。但由于场效应方法在实验数据处理上存在着很大误差。另外该方法的测量结果受界面态的影响很大。J.D.Cohen等人用深能级瞬态谱(DLTS)测 |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/295939 |
| ISSN | 1009-5896 |
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