一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器

Abstract

本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ag粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越来越多并向另一端的电极延伸。当堆积的银粒子将两端电极连通的时候，阻变层就由高阻态转向了低阻态。因此，本发明阻变材料以Ag粒子运动组合的方式形成导电通道，使阻变材料的电阻转变的稳定性大幅提升。