TitleMeV离子注入KNbO<,3>晶体的光波导效应及损伤研究
Authors李琰
Affiliation北京大学
KeywordsMeV离子注入 KNbO&lt
,3&gt
晶体 光波导 场发射扫描电镜 高分辨电镜
Issue Date1999
Citation北京大学.
Abstract用TRIM程序模拟了6.0MeV B离子和2.0MeV He离子注入KNbO<,3>晶体的核损失和电离损失分布.利用经验公式估算了波导样品的折射率分布.用AMRAY1910FE场发射扫描电镜观测了离子注入后形成的损伤层的位置及范围.用H-9000NAR高分辨电子显微镜预测与比较了注入B、He两种离子和未注入的KNbO<,3>晶体截面的微观结构.观测到的波导样品的损伤层的位置及范围与TRIM的模拟结果基本一致.在相同的注入剂量和注入深度下,B离子注入形成的损伤层的损伤结构较之He离子注入形成的更为复杂和稳定.对6.0MeV B离子和2.0MeV He离子在1×10<'14>cm<'-2>-5×10<'15>cm
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/380402
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