Title适于纳米尺度集成电路技术的双栅/多栅MOS器件的研究
Authors黄如
田豫
周发龙
王润声
王逸群
张兴
Affiliation北京大学微电子学研究院
Keywords纳米CMOS器件
双栅器件
围栅器件
Issue Date2008
Publisher中国科学. E辑, 技术科学
Citation中国科学. E辑, 技术科学.2008,38(6),959-967.
Abstract随着集成电路的发展,器件尺寸进入纳米尺度领域,器件性能受到诸多挑战.针对纳米CMOS器件存在的问题,从可集成性考虑,基于由上而下途径,从新型双栅/多栅器件结构角度介绍新型非对称梯度低掺杂漏垂直沟道双栅MOS器件以及新型围栅纳米线MOS器件的研制及特性分析,为下几代集成电路技术的器件研究提供良好的思路.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/424423
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