Title弯曲硒化镉纳米线中外侧拉伸应变主导的激子发光(英文)
Authors付学文
廖志敏
叶堉
徐军
戴伦
朱瑞
郭万林
俞大鹏
AffiliationState Key Laboratory for Mesoscopic Physics
Department of Physics
Peking University
Collaborative Innovation Center of Quantum Matter
State Key Laboratory for Mechanics and Control of Mechanical Structures
and MOE Key Laboratory of Intelligent Nano Materials and Devices
Institute of Nano Science...
Keywords激子
拉伸应变
硒化镉
光电子器件
内建场
exciton
复合发光
功能器件
bending
发光性质
Issue Date2014
PublisherScience China Materials
CitationScience China Materials.2014,(01),26-33.
Abstract调制Cd Se纳米线的电子结构和发光性质对于进一步开发其在光电子功能器件中的应用具有十分重要的意义.本研究揭示了弯曲Cd Se纳米线中激子流的汇聚效应.弯曲形变在Cd Se纳米线中形成从弯曲内侧到弯曲外侧连续变化的带隙,从而激子在能量梯度诱发的等效内建场的驱动下向较低能量的弯曲外侧漂移和汇聚.由于激子迁移到弯曲外侧边缘并复合发光,使得激子发光光谱在弯曲横截面发生整体红移,并且发光能量的红移量随弯曲外侧边缘的最大拉伸应变线性增加.本文展示了一种新的驱动、汇聚乃至利用Cd Se纳米线激子的有效方法,对于开发和设计高性能的柔性光电子器件具有重要的指导意义.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/440386
ISSN2095-8226
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