| Title | 二维半导体中的能谷电子学 |
| Other Titles | Valleytronics in two-dimensional semiconductors |
| Authors | 胡凯歌 冯济 |
| Affiliation | 北京大学物理学院 量子材料科学中心 量子物质科学协同创新中心 北京100871 |
| Keywords | 能谷电子学 二维半导体 单层过渡金属二硫化物 valleytronics two-dimensional semiconductor monolayer transition metal dichalcogenides |
| Issue Date | 2016 |
| Publisher | 物理 |
| Citation | 物理. 2016, 45(8), 494-504. |
| Abstract | 文章介绍了能谷电子学背后的基本物理原理,并回顾了此方向在材料实现上的进展.在理论背景部分简单回顾了基本模型和有关贝里曲率导致量子输运和光选择的重要概念,在材料实现部分除了总结在真实材料中重要的实验和理论的发现,也讨论了在这些材料中的自旋轨道耦合和近邻诱导的塞曼效应,最后展望了能谷电子学的发展前景. |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/482598 |
| ISSN | 0379-4148 |
| DOI | 10.7693/wl20160802 |
| Indexed | 中文核心期刊要目总览(PKU) |
| Appears in Collections: | 物理学院 |
