一种超结MOS器件终端仿真方法

Abstract

本发明对于高压超结MOS器件终端仿真，提出一种等效仿真方法。其特点是：提出一种等效模型仿真方法，由与原器件终端沟槽等距等宽度的PN结堆叠组成，并且各部分参杂种类和浓度相同，利用其可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于：能较快找到符合要求终端的大致结构，等效结构简单，仿真程序简单，仿真速度快，节约时间。