Title氨化Ga2O3和金属Ga粒混合镓源制备高质量GaN纳米线
Other TitlesThe synthesis of high quality GaN nanowires by amomoniating Ga2O3 and metal Ga mixture
Authors李琰
王朋伟
孙杨慧
高靖云
赵清
俞大鹏
Affiliation北京大学物理学院介观物理国家重点实验室电子显微镜实验室,北京,100871
Keywords化学气相沉积法
氮化镓
纳米线
生长条件
Issue Date2011
Publisher电子显微学报
Citation电子显微学报.2011,30,(2),91-96.
Abstract在管式炉中用化学气相沉积(CVD)法在高温下用金做催化剂,首次通过氨化Ga2O3和金属Ga粒组成的混合镓源制备出高质量的GaN纳米线.运用SEM,TEM,XRD以及Ramah,PL等表征手段分析了氮化镓纳米线的形貌、结构以及发光性质.最后着重探讨了通过改变镓源的构成、氨化温度以及镓源和生长衬底间的距离等生长条件,研究了其对氮化镓形貌的影响,藉以提高在管式炉中生长GaN的可控性及可重复性,为制备大量GaN纳米线提供了依据.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/84685
ISSN1000-6281
DOI10.3969/j.issn.1000-6281.2011.02.001
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Appears in Collections:物理学院
人工微结构和介观物理国家重点实验室

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