Title高温退火对InGaAsP/InP双异质结光弹波导结构的影响
Other TitlesInfluence of high temperature annealing on InGaAsP/InP heterostructure photoelastic waveguide structures
Authors邢启江
Affiliation北京大学物理系,北京100871
KeywordsWNi/半导体接触
光弹效应
平面型波导器件
热稳定性
Issue Date2000
Publisher功能材料与器件学报
Citation功能材料与器件学报.2000,6,(3),266-269.
Abstract光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构.InGaAsP/InP双异质结外延片在直流负偏压120V作用下,利用射频溅射和光刻刻剥离技术在样品表面沉积110nm厚的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条.在W0.95-Ni0.05金属薄膜应变条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构.W0.95Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体(85%N2,15%H2)的保护下,分别在250℃,350℃,450℃,600℃温度下各退火0.5h以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了原来的1/10左右.退火前后光弹波导输出的近场光模没有发生很大的变化.这些实验结果充分证明了由W0.95Ni0.05金属薄膜在InGaAsP/InP双异质结构内形成的光弹波导结构具有很高的热稳定性.
URIhttp://hdl.handle.net/20.500.11897/85527
ISSN1007-4252
DOI10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.033
Indexed中国科学引文数据库(CSCD)
Appears in Collections:物理学院

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