| Title | 核分析技术在新型光电材料Ⅲ族氮化物研究中的新应用 |
| Authors | 姚淑德 侯利娜 周生强 马宏骥 吴名枋 |
| Affiliation | 北京大学物理学院技术物理系 |
| Keywords | 光电材料 Ⅲ族氮化物 紫外探测器 发光器件 AlGaN 表征方法 全波段 分析技术 氮化镓 三元化合物 |
| Issue Date | 2004 |
| Citation | 第十二届全国核物理大会暨第七届会员代表大会.. |
| Abstract | 氮化镓(GaN)及其三元化合物半导体(AlGaN、InGaN等)是近些年迅速发展的新型光电材料,正广泛应用在全波段发光器件、短波长激光器及紫外探测器等领域,但是迄今人们对其结构特征及对物理性质的影响研究的很不充分:在三元化合物半导体中,Al或In的确切组分是至关重要的,直接影响半导体的性质,但是却没有可靠的测试和表征方法;Ⅲ族氮化物外延膜和衬底之间存在较大的晶 |
| URI | http://hdl.handle.net/20.500.11897/86835 |
| Appears in Collections: | 物理学院 |
